<address id="xjrrj"><listing id="xjrrj"><meter id="xjrrj"></meter></listing></address>
<noframes id="xjrrj"><address id="xjrrj"><menuitem id="xjrrj"></menuitem></address>

<form id="xjrrj"></form>

    <noframes id="xjrrj"><address id="xjrrj"></address>

          您現在的位置: 首頁 > 行業知識 > 內容
          產品類別 / CATEGORY
          聯系我們 / CONTACT US
          聯系人:史經理
          電 話:15553663771
          地 址:臨朐縣紙坊工業園
          行業知識
          ?纏繞膜中蒸發鍍膜技術的知識淺說
          編輯:臨朐縣益泰興塑料制品加工廠   發布時間:2020-03-18

            纏繞膜廠家應用真空鍍膜有三種類型:蒸發鍍膜、濺射鍍膜與離子鍍膜。本文我們來說說蒸發鍍膜相關知識:

            蒸發鍍膜是通過加熱物質在固體表面上的沉積,現代蒸發材料,如金屬和化學品,已經成為常用的涂層技術,它們被放置在坩堝中或掛在熱絲上作為蒸發源。待鍍工件,如金屬、陶瓷、塑料和其他基材,放置在坩堝前。在系統被抽到高真空后,坩堝被加熱以蒸發其中的物質,蒸發物質的原子或分子通過冷凝沉積在基底表面。

            纏繞膜的厚度可以從幾百埃到幾微米,纏繞膜的厚度取決于蒸發源(或電荷)的蒸發速率和時間,并且與源與襯底之間的距離有關。對于大面積涂層,纏繞膜廠家通常采用旋轉基體或多個蒸發源來保障纏繞膜厚度的均勻性。從蒸汽源到基體的距離應小于殘余氣體中蒸汽分子的平均自由程,以阻止蒸汽分子與殘余氣體分子碰撞產生的化學效應。電子伏蒸發源有三種類型,平均動能為0.1-0.2。

            ① 電阻+熱源:由鎢、鉭等難熔金屬或通電制成的舟箔,其上方加熱或置于坩堝中的蒸發物電阻+熱源主要用于蒸發鎘、鉛等物質。

            ② 高頻感應加熱源:用高頻感應電流加熱坩堝和蒸發料。

            ③ 電子束加熱源:適用于蒸發溫度高的材料,即用電子束轟擊材料使其蒸發。

            與其它真空鍍膜方法相比,蒸發鍍膜具有較高的沉積速率,可用于制備物質簡單、不易分解的復合膜。

            為沉積純單晶膜層,纏繞膜廠家采用分子束外延方法。生長摻雜的 GAALAS單品層的分子束外延裝置。噴出爐中裝有分子束源,在高度真空下當它被加熱到一定溫度爐中元素以束狀分子流射向基片。基片被加熱到一定溫積在基片上的分子可徙動,按基片品格次序生長結晶用分子束外延法可獲得所需化學計量比的高純化合物單晶膜,纏繞膜較慢生長速度可控制在1單層秒。通過控制擋板,可準確地做出所需成分和結構的單晶纏繞膜。分子束外延法廣泛用于制造各種光集成器件和不同高晶格結構纏繞膜。

          ??o??¨?? ???è??

          版權所有:臨朐縣益泰興塑料制品加工廠手機版營業執照信息公示

          口袋彩